高壓VGF單晶爐是制備II一VI族和III一V族化合物半導體材料的關鍵設備。主要應用于半導體磷化銦(nP) 、磷化鎵(GaP)等材料的單晶生長。
高壓VGF單晶爐設備特點：
高壓爐體采用無縫碳鋼鋼管制造，品牌壓力容器資質廠家設計生產，可承受5倍工藝壓力，并有減壓閥，在超過6MPa時自動降壓，降壓口氣體做隔氧處理。
爐體底部有水冷降溫結構，可以增強坩堝支撐結構的導熱，利于晶體生長。
爐體設備有吸震機構，可以有效把電阻絲通大電流時的震動有效減除，有利于層錯能弱的晶體生長。
爐體支架裝有手動調節系統，方便裝取料時對爐體的調節。
增壓系統采用進口增壓泵、壓力平衡控制系統、氮氣瓶組成。精度高，反應靈敏，可編程工藝增壓與減壓。并設有壓力極限報警。
高精度溫度控制系統，提升工藝成品率。
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